@MASTERSTHESIS{ 2005:1553826334,
 	title = {Tunelamento ressonante de buraco em heteroestruturas semicondutoras de duplas barreiras submetidas a pressões externo},
 	year = {2005},
 	url = "http://tede.ufam.edu.br/handle/tede/3467",
 	abstract = "Estudamos o transporte de buracos em dupla barreira ressonante submetida a stress uniaxial, usando a técnica da matriz de espalhamento na aproximação de massa efetiva do modelo de Luttinger-Kohn-Pikus. A transmissividade é calculada para k = 0 e k ≠ 0 para o sistema GaAs /AlAs
 para os esforços de compressão (T < 0) e tração (T > 0). Para k = 0, os buracos leves e pesados são desacoplados e observa-se um deslocamento rígido nas curvas de transmissividades e inversão do estado fundamental,
 HH1 LH1 para o esforço de tração. No caso k ≠ 0, além da mistura das bandas que aumenta a probabilidade de transmissão, o stress muda o caráter das partícula HH LH, a separação relativa entre os estados HH e LH no poço quântico, e indiretamente, influência na mistura dos estados de valência, aumentando ou diminuindo as transmissividades dos buracos dependendo do tipo de esforço aplicado.",
 	publisher = {Universidade Federal do Amazonas},
 	scholl = {Programa de Pós-graduação em Física},
 	note = {Instituto de Ciências Exatas}
}