@MASTERSTHESIS{ 2018:406038466,
 	title = {Medida da eficiência quântica para um sensor de imagem CMOS com tecnologia 3T-APS},
 	year = {2018},
 	url = "https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/6805",
 	abstract = "Atualmente as câmeras digitais estão presentes em diversas tecnologias auxiliando na
 execução de diversas tarefas. O elemento principal da câmera digital é o sensor de imagem que
 absorve certa quantidade de fótons transformando-a em sinal elétrico para que um circuito de
 leitura identifique qual é o comprimento de onda da luz incidente, e consequentemente, a cor.
 A facilidade com que o sensor transforma a energia da luz absorvida em energia
 elétrica é denominada eficiência quântica interna (η). Quanto maior η, melhor é a qualidade na
 captura da imagem, principalmente em condições de baixa luminosidade.
 Os dois principais tipos de sensores comercializados atualmente são o CCD e o CMOS,
 porém, atualmente, os sensores CMOS, por terem melhor eficiência energética, maior
 miniaturização e melhor velocidade de respostas são os mais utilizados, devido a estes e outros
 fatos, são considerados os sucessores dos CCDs. Devido à predominância de mercado dos sensores
 CMOS, a UFAM em parceria com a UFMG desenvolveu o projeto de um sensor de imagem do tipo
 CMOS 3T-APS para realização de estudos sobre essa tecnologia. Este sensor foi fabricado junto a
 outros circuitos dentro de um chip denominado IR2 que foi adquirido através de um consórcio
 entre universidades federais do Brasil.
 Este trabalho apresenta uma metodologia alternativa a estipulada pela norma
 EMVA1288 [52] para medir a eficiência quântica em qualquer sensor de imagem fabricado com
 tecnologia CMOS 3T-APS. O chip IR2 foi utilizado no teste, pois foi fabricado com este tipo de
 tecnologia.
 Foram plotadas duas curvas de eficiência quântica neste trabalho, uma, denominada
 eficiência quântica interna, mostra a quantidade de carga elétrica medida em função do número
 de fótons absorvidos por cada pixel e a outra, eficiência quântica total, mostra a quantidade de
 carga elétrica medida em função do número de fótons incidentes em cada pixel. O intervalo utiliza
 para comprimentos de ondas está compreendido no intervalo de 457nm a 950nm. Essa curva é
 importante para se entender como funciona o CHIP IR2 e facilitar a operação do mesmo nos
 próximos estudos.",
 	publisher = {Universidade Federal do Amazonas},
 	scholl = {Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica},
 	note = {Faculdade de Tecnologia}
}