@MASTERSTHESIS{ 2020:1897818470,
 	title = {Caracteriza??o Estrutural e ?ptica da Solu??o S?lida Nanoestruturada Sn(Se1-xSx) com x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 produzida por Mecano-S?ntese},
 	year = {2020},
 	url = "https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/7755",
 	abstract = "Os semicondutores SnX2 (onde X = Se, S, Te) t?m sido muito estudados nos ?ltimos anos devido ?s variedades de aplica??es para dispositivos eletr?nicos, ?pticos e optoeletr?nicos, al?m de serem materiais de baixa toxicidade, baixo custo, possuir estrutura em camadas e ter a possibilidade de regular o gap ?ptico de energia a partir da modifica??o da propor??o de estequiometria do material. Neste cen?rio este trabalho produziu uma solu??o s?lida nanoestruturada Sn(Se1?xSx) para x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 utilizando a t?cnica Mecano-S?ntese. As amostras foram investigadas utilizando as t?cnicas de Difra??o de Raios X, M?todo de Rietveld, Calorimetria Diferencial de Varredura e Espectrometria Ultra Violeta e Vis?vel onde foi poss?vel constatar que as amostras se formaram com uma estrutura ortorr?mbica com microdeforma??o anisotr?pica de 4,9% em m?dia, e verificar que os picos do difratograma se deslocam para a direita ? medida que substitu?mos gradativamente sel?nio por enxofre na solu??o. As amostras se mostraram est?veis para temperaturas de at? 200?C e se desintegram para temperaturas acima de 600?C. Tamb?m foram observados gaps ?pticos de energia diretos e indiretos que mostraram valores diferentes da literatura e podem estar ligados ao m?todo utilizado para obter a absor??o de energia em que se utilizou a ?gua como solvente
 para solubilizar com a amostra. Os valores obtidos do gap ?ptico de energia variam de 0,67 a 4,0 eV para o gap indireto e 4,1 a 5,4 eV para o gap direto.",
 	publisher = {Universidade Federal do Amazonas},
 	scholl = {Programa de P?s-gradua??o em F?sica},
 	note = {Instituto de Ci?ncias Exatas}
}