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Please use this identifier to cite or link to this item: https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/7755
Tipo do documento: Dissertação
Título: Caracterização Estrutural e Óptica da Solução Sólida Nanoestruturada Sn(Se1-xSx) com x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 produzida por Mecano-Síntese
Autor: Arenillas, Nahuel Oliveira 
Primeiro orientador: Trichês, Daniela Menegon
Primeiro membro da banca: Frota, Hidembergue Ordozgoith da
Segundo membro da banca: Borges, Zeane Vieira
Resumo: Os semicondutores SnX2 (onde X = Se, S, Te) têm sido muito estudados nos últimos anos devido às variedades de aplicações para dispositivos eletrônicos, ópticos e optoeletrônicos, além de serem materiais de baixa toxicidade, baixo custo, possuir estrutura em camadas e ter a possibilidade de regular o gap óptico de energia a partir da modificação da proporção de estequiometria do material. Neste cenário este trabalho produziu uma solução sólida nanoestruturada Sn(Se1−xSx) para x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 utilizando a técnica Mecano-Síntese. As amostras foram investigadas utilizando as técnicas de Difração de Raios X, Método de Rietveld, Calorimetria Diferencial de Varredura e Espectrometria Ultra Violeta e Visível onde foi possível constatar que as amostras se formaram com uma estrutura ortorrômbica com microdeformação anisotrópica de 4,9% em média, e verificar que os picos do difratograma se deslocam para a direita á medida que substituímos gradativamente selênio por enxofre na solução. As amostras se mostraram estáveis para temperaturas de até 200ºC e se desintegram para temperaturas acima de 600ºC. Também foram observados gaps ópticos de energia diretos e indiretos que mostraram valores diferentes da literatura e podem estar ligados ao método utilizado para obter a absorção de energia em que se utilizou a água como solvente para solubilizar com a amostra. Os valores obtidos do gap óptico de energia variam de 0,67 a 4,0 eV para o gap indireto e 4,1 a 5,4 eV para o gap direto.
Abstract: SnX2 semiconductors (where X = Se, S, Te) have been extensively studied in recent years due to the variety of applications for electronic, optical and optoelectronic devices, as well as being a material of low toxicity, low cost, own layered structure and having the possibility to regulate the optical energy gap by modifying the proportion of the material stoichiometry. In this context, this study had produced a nanostructured solid solution Sn(Se1−xSx) to x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 and 1 using the Mecano-Synthesis technique. The samples were investigated using X ray Diffraction, Rietveld Method, Differential Scanning Calorimetry and Ultraviolet-visible Spectrophotometry techniques which demonstrated that samples were formed with an orthorhombic structure with anisotropic microdeformation of 4,9% on average. It was also possible to verify that the diffractogram peaks shift to the right as we gradually replace selenium with sulfur into the solution. The samples kept stable at temperatures up to 200ºC and they disintegrated at temperatures above 600ºC. Direct and indirect energy optical gaps were also observed from samples that showed different values from the literature and may be linked to two main factors: 1) the method used to obtain the energy absorption in which water was used as a solvent to solubilize with the sample and 2) mass concentration of samples in solvent. The values gained from the optical energy gap range from 0,67 to 4,0 eV for indirect gap and 4,1 to 5,4 eV for direct gap.
Palavras-chave: Método de Rietveld
Raios X - Difração
Espectrometria UV
Semicondutores SnX2
Estequiometria
Área(s) do CNPq: CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA
???metadata.dc.subject.user???: Materiais Termoelétricos
Mecano-Síntese
Difração de Raios X
Método de Rietveld
Espectrometria Ultra Violeta e Visível
Idioma: por
País: Brasil
Instituição: Universidade Federal do Amazonas
Sigla da instituição: UFAM
Departamento: Instituto de Ciências Exatas
Programa: Programa de Pós-graduação em Física
Citação: ARENILLAS, Nahuel Oliveira. Caracterização Estrutural e Óptica da Solução Sólida Nanoestruturada Sn (Se1-xSx) com x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 produzida por Mecano-Síntese. 2020. 102 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Amazonas, Manaus, 2020.
Tipo de acesso: Acesso Aberto
Endereço da licença: http://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0/
URI: https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/7755
Data de defesa: 14-Jan-2020
Appears in Collections:Mestrado em Física

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